【摘 要】
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采用多层异质液相外延技术,制出了具有开关、存储、发光等多种功能的npnp Ga_(1～s)Al_2As负阻发光二极管。其典型参数为阈值电压V_(th):5～50v,阈值电流I_(th)
【机 构】
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中国科学院长春物理所第五研究室四组
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采用多层异质液相外延技术,制出了具有开关、存储、发光等多种功能的npnp Ga_(1～s)Al_2As负阻发光二极管。其典型参数为阈值电压V_(th):5～50v,阈值电流I_(th)<1mA,保持电压V_k～1.8v,保持电流I_k<3mA,反向击穿电压V_k40～100v,反向漏电流
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