【摘 要】
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随着大规模集成电路的迅速发展,要求集成器件向三维器件及多功能器件发展.由于铁电薄膜具有非挥发性(non-volatility)、抗辐照性(radiation-hardness)、电极化特性,因此,铁电
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所 信息功能材料国家重点实验室,上海200050,信息功能材料国家重点实验
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随着大规模集成电路的迅速发展,要求集成器件向三维器件及多功能器件发展.由于铁电薄膜具有非挥发性(non-volatility)、抗辐照性(radiation-hardness)、电极化特性,因此,铁电薄膜及其在微电子和光电子领域中的应用研究已成为当前国际上新型功能材料与集成器件的热点,如铁电随机存储器(FERAM)、动态随机存储器(DRAM)、薄膜电容、SAW器件及红外探测器等.
With the rapid development of large-scale integrated circuits, integrated devices are required to develop into three-dimensional devices and multi-functional devices.As the ferroelectric thin films have non-volatility, radiation-hardness, electrical polarization characteristics, Therefore, ferroelectric thin films and their applications in the field of microelectronics and optoelectronics have become hot spots in the world for new functional materials and integrated devices, such as ferroelectric random access memory (FERAM), dynamic random access memory (DRAM), thin film capacitors, SAW devices and infrared detectors.
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