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基于SiGe—OI新型半导体材料，分析了SiGe-OI对称脊形定向耦合器的横向和纵向耦合理论，在BPM模拟软件平台上，建立了SiGe—OI对称脊形定向耦合器结构，分别模拟了其完全耦合和3dB耦合的光场传输特性，给出了脊形宽度、耦合间距、光波波长和Ge含量对耦合长度的影响：重点分析了耦合系数、脊形宽度、耦合长度、耦合间距、光波波长以及Ge含量等物理量之间的关系，得出了为了便于光电集成，可以在本文模拟的参数值范围内，选择较大的脊形宽度和较小的耦合间距和Ge含量的结论，为SiGe—OI对称脊形定向耦合器的研制提