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SiC晶体薄膜是科学技术感兴趣的材料，因为它有着多方面的潜在应用，如用于光电子学、高温半导体器上，用做核聚变装置第一壁材料（涂在不锈钢器壁表面上），以及用作高耐磨材料（也是涂在钢件表面上）。晶体SiC的大量用途也存在于非晶状态（α-SiC)。许多研究都侧重于研究这种非晶薄膜的结构和机械性能。然而，很少有人知道关于轰击诱导的化学和成分的变化。这里，我们综述与SiC和其它碳化物中轰击诱导的结构和成分变化有关的观测和解释。重点是放在N^-植入，N^+植入导致用N逐渐代替C的 SiCxNy化合物。证明N植入通过