“神光Ⅱ”基频直接驱动内爆出中子靶制备工艺

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描述了“神光Ⅱ”基频直接驱动内爆出中子靶制备工艺。用该工艺制备的爆推靶、饶蚀靶在“神光Ⅱ”装置上用基频光进行物理实验,分别获得了4×10^9个中子和6×10^8个中子的高中子产额,与理论计算的中子产额值符合较好。
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