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本文根据SiO_2薄膜的边缘力集中近似模型,求出了硅MOS器件中的应力场。计算结果与K.Kobayashi(1990)进行的Raman谱测量结果吻合较好。
计算MOS器件应力的简单方法
【摘 要】
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本文根据SiO_2薄膜的边缘力集中近似模型,求出了硅MOS器件中的应力场。计算结果与K.Kobayashi(1990)进行的Raman谱测量结果吻合较好。
【机 构】
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东南大学微电子中心,东南大学微电子中心南京210018,南京210018
【出 处】
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电子科学学刊
【发表日期】
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1992年6期
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