【摘 要】
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研究了一种新型4H—SiCU型槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管（UMOSFE％）结构．该结构中的P—bodv区下方有-P型突出屏蔽区．在关态下，该P型突出屏蔽区能够有效的保护栅氧化层，降低栅氧电
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研究了一种新型4H—SiCU型槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管（UMOSFE％）结构．该结构中的P—bodv区下方有-P型突出屏蔽区．在关态下，该P型突出屏蔽区能够有效的保护栅氧化层，降低栅氧电场，提高击穿电压．在开态下，该P型屏蔽区并没有对器件的电流产生阻碍作用，并没有带来JFET电阻效应，能够有效的降低器件导通电阻．此外，该结构表面还集成了polySi／SiC异质结二极管，降低了器件的反向恢复电荷，从而改善器件的反向恢复特性．仿真结果显示，与p＋sic屏蔽区UMOSFET结构比较，该新结构的特征导通电
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