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介绍RFMEMS开关的基本工艺流程的设计，工艺制作技术的研究，实验解决了种子层技术、聚酰亚胺牺牲层技术、微电镀技术的工艺难题，制作出了RFMEMS开关样品。RFMEMS开关样品技术指标达到：膜桥高度2—31μm，驱动电压〈30V，频率范围0-40GHz，插入损耗≤1dB，隔离度≥20dB。
RF MEMS开关的工艺制备
【摘 要】
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介绍RFMEMS开关的基本工艺流程的设计，工艺制作技术的研究，实验解决了种子层技术、聚酰亚胺牺牲层技术、微电镀技术的工艺难题，制作出了RFMEMS开关样品。RFMEMS开关样品技术指标
【机 构】
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中国兵器工业第214研究所
【出 处】
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集成电路通讯
【发表日期】
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2010年2期
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