论文部分内容阅读
１５０ｋＨｚＩＧＢＴ将代替功率ＭＯＳＦＥＴ张先广孟进１５年前发明ＩＧＢＴ以来，在中等电压范围（４００～６００Ｖ）内，ＩＧＢＴ就有希望代替功率ＭＯＳＦＥＴ，然而直至今日，一直未能实现，主要原因是：过去ＩＧＢＴ的速度较慢，不能满足某些应用的要求，另外，近...
150kHz IGBT将代替功率MOSFET
【摘 要】
：
１５０ｋＨｚＩＧＢＴ将代替功率ＭＯＳＦＥＴ张先广孟进１５年前发明ＩＧＢＴ以来，在中等电压范围（４００～６００Ｖ）内，ＩＧＢＴ就有希望代替功率ＭＯＳＦＥＴ，然而直至今日，一直未能实现，主要原因是：过去ＩＧＢＴ的速度较慢，不能满足某些应用的要求，另外，近...
【出 处】
：
国外电子元器件
【发表日期】
：
1998年5期
其他文献
用水热法合成了NiCoPrLa类水滑石,并用XRD和TG-DSC对NiCoPrLa类水滑石的晶相结构和热稳定性进行了表征,合成的类水滑石具有较完整的晶型结构,在439℃后水滑石层状结构开始破
患者38岁,因40+2周妊娠、不规律宫缩入院.妊娠40周时因阴道流血曾行保胎治疗1周.入院当晚经阴娩出一男婴,体重3500g.30分钟后胎盘未娩出.徒手剥离胎盘过程中发现部分植入,完
ＭＣ３４１６７／ＭＣ３３１６７是Ｍｏｔｏｒｏｌａ公司生产的高性能固定频率稳压控制器，内含固定频率的振荡器和大电流开关管，内设过热、欠压保护电中，具有ＤＣ－ＤＣ变换所需的主要功能，能完成降压、开压和极性变换功能。本文介绍了其内
采用FLAC5．0有限差分数值计算软件，对大断面、软岩、浅埋、偏压段隧道——包西铁路洞子岩隧道进行了三台阶、CRD和双侧壁导坑法的施工力学行为模拟分析，确定了采用双侧壁导坑法
《数学课程标准》提出“数学内容应当是现实的，有意义的，富有挑战性的，这些内容要有利于学生主动地进行观察、实验、猜测、验证、推理与交流。”同时也指出：“学生是学习的主人，教
１．概述过流、过热保护元件—聚合体开关是一种聚合体ＰＴＣ（ｐｏｓｉｔｉｖｅＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＣｏｅｆｉｃｉｅｎｔ）器件。当温度升高时，它的电阻值急剧增加。常态时，聚合体开关的阻值非常低，当流过它的电流达到一定数值时，它的温度急剧升高，当
<正> 1、概述在多点式的远程数据通讯中,通常使用EIA-RS-232C接口。它的适用范围是30米和小于20kbp的数据速率,并且是一对一通讯,因此RS232C接口不能满足双向多点远程数据通