1.55μm光发射OEIC技术研究

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wangfuqun

【摘要】

：

采用一种新的基于InP材料在[0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术,设计并制作了带有1.55μm多量子阱激光器和InP/InGaAs 异质结双极晶体管驱动电路

【作者】

：

李献杰曾庆明徐晓春刘伟吉敖金平王全树杨树人赵方

【机构】

：

河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室,河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室,吉林大学,东南大学射频与光电集成电路研究所

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2002年1期

【关键词】

：

光发射光电集成电路 INP light transmitter OEIC InP

【基金项目】

：

国家高技术研究发展计划(863计划)

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

采用一种新的基于InP材料在[0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术,设计并制作了带有1.55μm多量子阱激光器和InP/InGaAs 异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路.在1.5Gbit/s 223-1伪随机码调制下器件有张开的眼图,光输出功率为2dBm,芯片功耗约120mW.

其他文献

改版·改革·创新——2005年度《创新科技》新版评刊会纪要

2005年9月15日，河南省科学技术厅《创新科技》座谈会在郑举办，厅常务副厅长孟少辉、科技部《中国科技论坛》主编张九庆、著名经济学家杨承训、河南省委政研室副主任王永苏、省

期刊

《创新科技》改版经济学家河南省科学技术中国科技新闻传播

取样光纤光栅温度特性及其温度补偿封装

用长周期振幅掩模板(周期为500 μm)和相位掩模板(周期为1.073 9 μm) ,采用曝光法制作出了1.5 cm长的取样光纤光栅.测试了光纤光栅的温度特性,发现光纤光栅的反射波长随温度

期刊

取样光纤光栅温度补偿封装负温度系数sample fiber grating temperature-compensating package negati

脉冲电子束退火装置及其对注砷硅的退火结果

目前,离子注入技术虽已相当广泛地用于半导体器件的科研和生产中,然而离子注入造成的晶格损伤的恢复和注入杂质的高效率激活方法却还留下一些有待研究的课题.其中,脉冲电子束

期刊

黏土的作用机理及其在畜禽生产中的应用研究进展

黏土是一类含有碱金属和碱土金属阳离子以及少量其他元素组成的结晶水合铝硅酸盐复合物,具有粒径小、表面积大、吸附性强和离子交换等特性,可改善畜禽生长性能,促进畜禽机体

期刊

黏土理化性质作用机理畜禽应用效果clayphysical-chemical propertiesmechanism of actionlivestoc

低碳经济，新能源的未来？

第五届全国化学工程与生物化工年会上，清华大学化学工程系金涌院士提出的低碳经济理念受到了与会专家、学者的广泛关注。事实上，低碳经济的发展理念最早起源于西方国家。早在20

期刊

经济理念新能源低碳化学工程生物化工清华大学西方国家气候变化

食品中菌落总数测定不确定度评定数学模型的建立

目的探讨如何建立合理的食品中菌落总数检测不确定度的数学模型。方法参照JJF 1059.1-2012《测量不确定度评定与表示》对GB 4789.2-2010《食品安全国家标准食品微生物学检

期刊

不确定度菌落总数数学模型食品

磁铁与“左撇子”

我们知道，一个人习惯使用左手还是右手是与牛俱来、很难改变的事情。然而美国科学家近日发现，只需一块小小的磁铁，就可以让“行撇子”瞬间变成“左撇子”。

期刊

左撇子磁铁美国科学家左手

妊娠母猪日粮添加复合膳食纤维对后代仔猪免疫应激下生长性能的影响

试验旨在研究妊娠母猪日粮添加复合膳食纤维对后代仔猪免疫应激情况下生长性能的影响。采用2×2双因素试验设计,选取丹系经产纯种母猪(3~6胎)24头随机分为四组,每组6头,

期刊

复合膳食纤维后代仔猪脂多糖免疫生长性能fiber complexoffspring pigletslipopolysaccharideimmunity

程津培：自主创新，经济上算总账是合算的

“目前我国经济增长的主要动力并未摆脱对投资的依赖，去年9％的GDP增长中，仍然有高达6％以上是来自于固定资产投资规模的扩大。”全国政协委员、科技部副部长程津培发出警告。

期刊

经济增长程津培自主创新投资规模固定资产政协委员GDP副部长科技部

离子束增强沉积氮化硅薄膜生长及其性能研究

用离子束增强沉积技术合成了氮化硅薄膜并研究了薄膜的组分、性能和结构.结果表明,离子束增强沉积生长的氮化硅薄膜的组分比,可借助于调节氮离子和硅原子到达率之比加以控制.

期刊

离子束增强沉积氮化硅薄膜生长Ion Beam Enhanced DepositionNitride filmsArrival rate ratioCom

1.55μm光发射OEIC技术研究

与本文相关的学术论文