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用低压化学气相淀积（LPCVD）法淀积了膜厚为60-250nm的多晶硅纳米薄膜，研究了膜厚和掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜电学特性的影响。结合扫描电镜（SEM）图片，在电阻率与电阻率温度系数测试结果的基础上，分析了膜厚和掺杂浓度对薄膜电学特性的影响。结果表明：重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的温度特性，电阻率温度系数可达到1×10^-4～3×10^-4／℃的水平。