Gd掺杂BiFeO3铁磁电陶瓷的介电性能

来源 :常熟理工学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Mywillz

【摘要】

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采用固相反应法制备了对BiFeO3进行A位Gd掺杂的系列陶瓷样品Bi1-xGdxFeO3（x为0.00、0.05、0.10、0.15、0.20）,借助XRD物相分析手段对样品进行的研究表明其均为三方钙钛矿结构;

【作者】

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郭铁朋秦萍

【机构】

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河南省地质矿产勘查开发局第三地质调查队,信阳师范学院物理电子工程学院

【出处】

：

常熟理工学院学报

【发表日期】

：

2007年8期

【关键词】

：

铁磁电材料 BIFEO3 GD掺杂介电性 multiferroic materialBiFeO3Gd dopingdielectric property

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采用固相反应法制备了对BiFeO3进行A位Gd掺杂的系列陶瓷样品Bi1-xGdxFeO3（x为0.00、0.05、0.10、0.15、0.20）,借助XRD物相分析手段对样品进行的研究表明其均为三方钙钛矿结构;室温下频率在100Hz-1MHz范围内,Gd掺杂各组分样品的介电常数εr都比未掺杂时显著提高,x=0.05组分样品的介电常数εr最大;除了x=0.05组分,各组分样品的介电损耗tanδ都比未掺杂时略为减小.

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