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为了解决典型宽禁带半导体光电探测器件的工作波段限制材料禁带宽度的问题，对基于表面等离激元热电子效应的光电晶体管进行了制备和光电性能研究，提出一种采用重掺杂的硅片作为背栅极、二氧化硅(SiO 2)氧化层作为绝缘层，且能利用等离激元热电子效应的光电晶体管，有望实现响应光谱的调控。利用热退火方法在绝缘层表面修饰金纳米颗粒，并结合射频溅射、物理掩模和真空热蒸镀的方法实现了热电子效应铟镓锌氧化物(IGZO)光电晶体管。器件的光学和电学性能测试结果表明：修饰金纳米颗粒的光电晶体管在658 nm红光入射下产生明显的光电