半导体单纳米线光电特性研究获进展

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近年来,半导体纳米线因为其准一维的结构特征,在能源、生物、微电子、微机械等众多领域受到广泛的关注。特别是以纳米线作为功能材料的光电器件,如光电探测器、太阳能电池等已经展现出一定的优势。在光电转换的核心要素中,纳米线由于陷光效应可以在低占空比条件下实现高效光吸收,而其中的电子(空穴)迁移率等也逐渐接近甚至高于相应体材 In recent years, semiconductor nanowires have attracted a great deal of attention in many fields such as energy, biology, microelectronics and micro-mechanics because of their quasi-one-dimensional structural features. In particular, optoelectronic devices using nanowires as functional materials, such as photodetectors, solar cells and the like, have shown some advantages. Among the core elements of photoelectric conversion, the nanowires can absorb light efficiently at low duty cycle due to the trapping effect, and the electron (hole) mobility and the like are gradually approaching or even higher than that of the corresponding body material
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