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制造了栅长0．1μm，栅氧厚度5．6nm，栅槽180nm的SOI槽栅pMOSFET．给出了器件的转移特性和输出特性．在Udn=-1．5V时，其饱和漏电流为380μA，关态泄漏电流为1．9nA；在Vda=-0．1V下的亚阈值斜率为115mV／dec，DIBL因子为70．7mV／V．实验结果表明，0．1μmSOI槽栅pMOSFET比同尺寸体硅槽栅pMOSFET拥有更好的电流驱动能力和亚阈值特性．