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0.1μmSOI槽栅pMOS器件特性
制造了栅长0.1μm,栅氧厚度5.6nm,栅槽180nm的SOI槽栅pMOSFET.给出了器件的转移特性和输出特性.在Udn=-1.5V时,其饱和漏电流为380μA,关态泄......
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S01
槽栅PMOSFET
亚阈值
SOI
grooved gate pMOSFET
sub-threshold slope
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