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以单质Si粉和SiO2微粉为反应原料,在真空氮气炉中以高纯氮气保护,合成制备了Si2N2O。研究了反应温度（1400,1420,1440,1460,1480和1500℃）和保温时间（2,3,4和5 h）对合成Si2N2O的影响,利用XRD、SEM、EDX和TEM等手段对合成产物的相组成和形貌进行了表征。结果表明:反应温度为1460℃并保温3 h可以合成高纯的微米级片状和板状的Si2N2O,此时产物中Si:N:O非常接近于Si2N2O理论原子比2:2:1。