锗硫锑非晶薄膜材料的组成和光隙

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kaiserking

【摘要】

：

用 EPMA 分析了真空蒸发制得的(Ge_(0.3)S_(0.7))_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6))_x 和(Ge_(0.42)S_(0.58)_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6)_x 薄膜样品的组成,发现薄膜中 Ge、S、Sb 的含

【作者】

：

钟伯强

【机构】

：

中国科学院上海硅酸盐所

【出处】

：

无机材料学报

【发表日期】

：

1990年1期

【关键词】

：

硫系薄膜锗硫锑非晶薄膜光隙 Chalcogenide films Amorphous semiconductors Composition devia

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用 EPMA 分析了真空蒸发制得的(Ge_(0.3)S_(0.7))_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6))_x 和(Ge_(0.42)S_(0.58)_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6)_x 薄膜样品的组成,发现薄膜中 Ge、S、Sb 的含量与作为蒸发源的相应的块样中的含量不同。同时测量了两类薄膜样品的光隙,发现它们与相应块样的光隙在 x 较小时相差较大,这主要是材料中 S 的含量偏离所致。本文对组成偏离的原因进行了讨论。

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