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在ＧａＡｓ ＰＣＳＳ‘ｓ的模拟中引入了Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法，重点对非线性模式中锁定效应发生的机理及其阈值条件进行了计算分析。结果表明，阈值条件与器件材料的性质、偏置电场和激励光脉冲能量等因素密切相关。在与ＮＤＲ相对应的偏置电场范围内，Ｌｏｃｋ－ｏｎ效应的发生有最低的光电要求。文中将这些结果与实验数据进行了对比分析和讨论。