【摘 要】
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研究了铁磁体-半导体-铁磁体（F/S/F）准一维系统中电子的透射率.得到如下结论：1）改变作用在2铁磁体上磁场方向角ρ和θ,电子透射率在满足ρ＋θ=（2n＋1）π时最小,ρ＋θ=2nπ时最大（其中n=1
【基金项目】
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河北省自然科学基金（A2006000299）,河北省科技攻关项目（06547003D-1）
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研究了铁磁体-半导体-铁磁体（F/S/F）准一维系统中电子的透射率.得到如下结论：1）改变作用在2铁磁体上磁场方向角ρ和θ,电子透射率在满足ρ＋θ=（2n＋1）π时最小,ρ＋θ=2nπ时最大（其中n=1,2,3,…）.2）δ势垒起到了延迟电子共振隧穿峰到来的作用.3）改变半导体中电子的Rashba自旋轨道耦合常数α会使电子透射产生非周期性共振隧穿现象,并且随着a值的增大相邻共振隧穿峰的间距有增大的趋势.4）半导体长度的改变虽然不会使相邻共振隧穿峰的间距改变,但会使共振隧穿峰值发生变化.
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