论文部分内容阅读
研究了外加电场和垒层的Al组分对AlGaN/GaN量子阱中的横向和纵向g因子（g⊥和g//）及其各向异性（δg）的影响.纤锌矿体结构的贡献（S//bulk和g⊥）是构成g⊥=（g//-g0）=g//bulk的主要部分,但g//bulk和g⊥的差值很小且几乎不随外加电场和Al组分改变.当外加电场的方向同极化电场的方向相同（相反）且增加时,g//bulk和g⊥bulk的强度同时增加（减小）.当外加电场从-1.5×108 V·m-1到1.5×108 V·m-1变化时,异质