【摘 要】
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使用SiC作为过渡层，采用自行设计建造的连通式双反应室高温MOCVD系统很好地克服了ZnO和SiC生长时的交叉污染问题，在Si基片上外延出高质量的ZnO薄膜，测量了样品的XRD和摇摆曲线，以
【机 构】
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中国科学技术大学物理系,中国科学技术大学物理系
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使用SiC作为过渡层，采用自行设计建造的连通式双反应室高温MOCVD系统很好地克服了ZnO和SiC生长时的交叉污染问题，在Si基片上外延出高质量的ZnO薄膜，测量了样品的XRD和摇摆曲线，以及室温下的PL谱，实验结果表明，SiC过渡层的引入大大提高了ZnO薄膜的质量和发光性能，并有望实现在Si上制备ZnO单晶薄膜。
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