【摘 要】
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量子阱中能级位置的确定是获得量子阱红外探测器其它设计参数的基础.为了提供足够的载流子跃迁,阱层一般为重掺杂层.重掺杂使半导体材料禁带宽度变窄,从而改变量子阱中能级的
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量子阱中能级位置的确定是获得量子阱红外探测器其它设计参数的基础.为了提供足够的载流子跃迁,阱层一般为重掺杂层.重掺杂使半导体材料禁带宽度变窄,从而改变量子阱中能级的位置.通过对不同温度、量子阱区不同掺杂浓度条件下的量子阱材料PL谱进行测量,得出PL谱峰值波长对应的电子跃迁峰值能量,它与阱中基态能级的位置有关.分别计算了考虑和不考虑禁带变窄效应时的电子跃迁峰值能量,并与实验结果相比较,可以看出考虑禁带变窄效应时与实验结果相吻合,因此掺杂量子阱区能级的计算需要考虑禁带变窄效应,这样可以较为精确的得出阱中能级的
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