【摘 要】
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引言市场上能买到的功率MOSFET多半都是纵向结构器件。过去,纵向方法提供的通电导阻率(R_(on).A)比横向方法提供的低得多。例如,400伏V形槽MOS(VMOS)和纵向双扩散MOS(VDMOS)
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引言市场上能买到的功率MOSFET多半都是纵向结构器件。过去,纵向方法提供的通电导阻率(R_(on).A)比横向方法提供的低得多。例如,400伏V形槽MOS(VMOS)和纵向双扩散MOS(VDMOS)晶体管,其通导电阻率R_(on)·A比常规设计的横向MOST的通导电阻率要低6倍之多。然而,纵向晶体的缺点是集
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