具有低通导电阻率的400伏LDMOST

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引言市场上能买到的功率MOSFET多半都是纵向结构器件。过去,纵向方法提供的通电导阻率(R_(on).A)比横向方法提供的低得多。例如,400伏V形槽MOS(VMOS)和纵向双扩散MOS(VDMOS)晶体管,其通导电阻率R_(on)·A比常规设计的横向MOST的通导电阻率要低6倍之多。然而,纵向晶体的缺点是集 Introduction Most of the power MOSFETs available on the market are vertical devices. In the past, the longitudinal method provided a much lower resistivity (R_ (on) .A) than provided by the lateral method. For example, the 400 volt V-shaped MOS (VMOS) and vertical double diffused MOS (VDMOS) transistors have a conduction resistivity R on (on) A that is six times lower than the on-resistance of a conventionally designed lateral MOST transistor. However, the disadvantage of longitudinal crystals is the set
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