CVD BPSG膜的沉积及其回流机理

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【摘要】

：

在研制和生产硅栅MOS型（NMOS和CMOS）LSI时,用化学汽相沉积的硼磷硅玻璃（CVD BPSG）膜取代常规的磷硅玻璃（PSG）膜作回流介质层,可将回流温度降低到1000℃以下,达到800—950℃之间,因

【作者】

：

曾天亮江志庚

【机构】

：

中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1986年04期

【关键词】

：

磷硅玻璃介质层 CVD BPSG 方块电阻 PSG 玻璃膜氧离子硼原子碱金属离子

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在研制和生产硅栅MOS型（NMOS和CMOS）LSI时,用化学汽相沉积的硼磷硅玻璃（CVD BPSG）膜取代常规的磷硅玻璃（PSG）膜作回流介质层,可将回流温度降低到1000℃以下,达到800—950℃之间,因而可以把高温引发的那些不希望有的杂质扩散和各种缺陷减至最少. 本文着重介绍 CVD BPSG膜的沉积和回流特性,并初步探讨了掺杂 CVD SiO₂膜的回流机理.

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