【摘 要】
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本文研究了InGaAsP/InP双异质结发光管的I-V特性,特别是有源区受主浓度、p-n结位置、限制层掺杂剂、热沉温度和制备工艺对正向导通电压(V_f)、初始发光电压V_0和反向击穿电压
【机 构】
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中国科学院上海冶金所,中国科学院上海冶金所,中国科学院上海冶金所
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本文研究了InGaAsP/InP双异质结发光管的I-V特性,特别是有源区受主浓度、p-n结位置、限制层掺杂剂、热沉温度和制备工艺对正向导通电压(V_f)、初始发光电压V_0和反向击穿电压V_B的影响,及其与光功率、光谱特性的关系。并讨论了产生不同I-V特性的原因。
In this paper, the IV characteristics of InGaAsP / InP double heterostructure LED, especially the active region acceptor concentration, the pn junction location, the confinement layer dopant, the heat sink temperature and the preparation process, The initial light-emitting voltage V_0 and the reverse breakdown voltage V_B, and its relationship with optical power and spectral characteristics. The reasons for creating different I-V characteristics are discussed.
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