【摘 要】
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本文报道了用ＭＢＥ生长轻掺Ｓｉ高迁移率ＧａＡｓ材料的杂质补偿特性实验研究。已得到７７Ｋ温度下迁移率为１６．２×１０＾４ｃｍ＾２／（Ｖ·ｓ）的ＧａＡｓ材料。样品的Ｈａｌｌ测量结果表明：在较低的杂质浓度范围（１×１０＾１３ｃｍ＾－３〈ｎ〈１×１０＾１５ｃｍ＾－３）内，在大体相
【机 构】
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国家光电子工艺中心中国科学院半导体研究所
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本文报道了用ＭＢＥ生长轻掺Ｓｉ高迁移率ＧａＡｓ材料的杂质补偿特性实验研究。已得到７７Ｋ温度下迁移率为１６．２×１０＾４ｃｍ＾２／（Ｖ·ｓ）的ＧａＡｓ材料。样品的Ｈａｌｌ测量结果表明：在较低的杂质浓度范围（１×１０＾１３ｃｍ＾－３〈ｎ〈１×１０＾１５ｃｍ＾－３）内，在大体相同的生长温度（５９０℃左右）下，选择适当的生长速率Ｇｒ会增加对浅受主杂质的抑制作用，同时也会抑制Ｓｉ的自补偿效应，减小杂质的补偿
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