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在Ar＋H2气氛下，用RF磁控溅射法在室温下制备Al掺杂的ZnO（AZO）薄膜，研究H2／（Ar＋H2）流量比对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明，在沉积气氛中引入H2可以提高AZO薄膜的结晶质量，降低AZO薄膜的电阻率，提高其霍尔迁移率和载流子浓度；H2／（Ar＋H2）流量比为5％时，AZO薄膜的最小电阻率为1．58×10^-3Ω·cm，最大霍尔迁移率和载流子浓度分剐为13．17cm^2·（V·s）^-1和3．01×10^20cm^-3；AZO薄膜在可见