【摘 要】
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针对目前NAND型FLASH大容量存储器件和和高数据完整性的要求,本文应用RS码在有限域GF(210)上设计了一个高吞吐低复杂度的存储容错系统。通过在不同模块之间的逻辑结构复用和
【机 构】
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西安电子科技大学,西安电子科技大学
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针对目前NAND型FLASH大容量存储器件和和高数据完整性的要求,本文应用RS码在有限域GF(210)上设计了一个高吞吐低复杂度的存储容错系统。通过在不同模块之间的逻辑结构复用和寄存器共享,此方案极大的减小了实现面积。RS解码采用无逆的BM算法,其流水线式的设计很好的减小了关键路径。最终在0.35umCMOS工艺下实现了整个系统。
In response to the current NAND-type FLASH mass storage devices and high data integrity requirements, this paper designs a high-throughput and low-complexity storage fault-tolerant system on the finite field GF (210) using RS codes. This scheme greatly reduces the area of implementation by multiplexing logical structures and register sharing between different modules. RS decoding using non-inverse BM algorithm, its pipeline design is very good to reduce the critical path. The final 0.35umCMOS process to achieve the entire system.
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