【摘 要】
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在纯氧条件下,采用直流磁控溅射技术在单晶硅基片上沉积氧化铪（HfO2）薄膜,并研究了沉积过程中基片温度对薄膜结构和性能的影响规律.利用X射线衍射仪（XRD）和X射线能谱（XPS）表征了薄
【机 构】
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西安工业大学光电工程学院,中科院西安光学精密机械研究所,飞秒光电科技（西安）有限公司
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在纯氧条件下,采用直流磁控溅射技术在单晶硅基片上沉积氧化铪（HfO2）薄膜,并研究了沉积过程中基片温度对薄膜结构和性能的影响规律.利用X射线衍射仪（XRD）和X射线能谱（XPS）表征了薄膜的晶体结构和组分,利用原子力显微镜（AFM）观察薄膜表面形貌,利用纳米力学测试系统表征了薄膜的纳米硬度和弹性模量.结果表明：磁控溅射制备的HfO2薄膜样品呈（111）择优生长,其晶粒尺寸随着基片温度的升高而增大,但其晶型并不发生转变.随着基片温度的增加,基片中的硅元素向薄膜内扩散,影响了薄膜的化学计量比.沉积薄膜的表面形
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