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本文研究了局部定向异质外延生长的金刚石膜的压阻效应，实验研究表明，这种膜的压阻因子在２００微应变，室温下约为１３００，其值大大超过了单晶硅的相应值，这是因为外延膜中缺陷态降低并且改进了测试方法。文中还简单讨论了金刚石膜压阻效应的起因。
定向局部异质外延生长的p型金刚石膜压阻效应的研究
【摘 要】
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本文研究了局部定向异质外延生长的金刚石膜的压阻效应，实验研究表明，这种膜的压阻因子在２００微应变，室温下约为１３００，其值大大超过了单晶硅的相应值，这是因为外延膜中缺陷态降低并且改进了
【机 构】
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重庆大学应用物理系,兰州大学物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年6期
【基金项目】
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国家自然科学金资助
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