INGAASP相关论文
随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半......
采用选区外延生长应变InGaAsP/InGaAsP 多量子阱有源层,制备出带宽为25 Gb/s 的单片集成电吸收调制分布反馈激光器.集成器件激......
Ⅲ-Ⅴ族太阳电池因超高的转换效率和卓越的空间抗辐射能力,主要广泛应用于太空领域,在太阳电池领域占领极其重要的地位。为了拓展......
学位
报道了在１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器中发现的０．９５μｍ波长高能发光峰的一系列实验结果，并通过分析肯定了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｓｅｒ复合是造成载流子向两侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原......
Laser photovoltaic devices converting 1064 nm light energy into electric energy present a promising prospect in wireless......
对基于非电离能量损耗(NIEL)的位移损伤等效性研究方法进行了讨论,计算了不同能量质子在InGaAsP材料中的NIEL。利用解析方法对库仑......
采用窄条宽选区生长化学气相沉积(NSAG-MOCVD)技术在掩膜宽度0～40μm范围内,获得波长漂移达177.5nm的高质量的InGaAsP材料,经推导,......
针对高功率808 nm激光器泵浦源的应用需求,设计并制备了InGaAsP/GaInP材料体系的无铝有源区半导体激光器。使用双非对称的限制层及......
设计并制作了用于高精度光纤陀螺的 1.3μm低电流超辐射发光二极管组件。采用隐埋异质结结构 ,实现了良好的电流限制和光限制 ,同......
对晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格结构外延片 ,运用等离子增强化学气相沉积法镀Si O2 膜 ,随后用碘钨灯快速热退火 ,进行无杂......
采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性进行了实验研究.用恒定电流下增益峰波长的温漂系数a......
经过外延生长和腐蚀分离后,直径为1～10μm的独立微盘激光器件分别被粘附在多模光纤的端面上。在室温条件下采用光学泵浦,对该类器件......
在国产分子束外延设备的基础上 ,利用新型三温区阀控裂解源炉 ,对 In P及 In Ga As P材料的全固源分子束外延 (SSMBE)生长进行了研......
研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质,采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构,器件做成带有倾角......
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四元InGaAsP混晶是一种理想的可用于窄禁带太阳电池制备的半导体材料。本文研究了InP衬底上InGaAsP材料在不同外延生长速度下的掺......
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本文以晶格中原子的扩散理论为基础,分析了四元系InGaAsP半导体材料中Ⅲ、Ⅴ族原子的扩散规律,建立了量子阱和超晶格结构中量子阱......
从InGaAsP单量子阱激光器热效应分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器温度特性进行了研究.实验表明,......
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采用InGaAsP多量子阱作为可饱和吸收体,以及Nd∶YAG激光器的耦合输出镜,实现1.06μm激光的被动锁模运转.当激光器腔长为115 cm时,......
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对一百支ＰＢＣ结构的ＩｎＧａＰ／ＩｎＰ激光器的检测表明，通过变温的电导数及热阻测试给出的参数及参数随的变化可对半导体激光器有效地进行评价和可靠性筛......
外腔半导体激光器具有一些令人瞩目的优点，其中最突出的是它可以提供线宽很窄的单模激光，而且价格低廉。这一特点暂时还不易被其它形......
研究了采用选择外延MOVPE生长InGaAsP的组分随掩模宽度的变化规律,以及InGaAsP表面边缘尖角随Ⅴ/Ⅲ比的变化.结果表明,随着掩模宽......
Ⅲ-Ⅴ族太阳电池效率的持续提升要求对能量转换材料的带隙宽度进行更细致划分,以实现对全光谱的高效利用。在短波红外波段,四元InG......
为研制全集成光开关、微片式激光器等，对ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ等材料的化学腐蚀进行了实验研究。......
采用有效质量框架下一维有限深势阱模型对InGaAsP多量子阱的组分和阱宽之间的关系进行了计算，利用更符合实验结果的Harrison模型来......
为了研究(111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器，利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)研究了(111)A InP衬底上InGaAsP外延层的......
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研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1．55μm偏振不灵敏半导体光放大器（SOA）。采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7°的埋层波导......
<正> 1988年国际固体器件和材料会议于8月24日至26日在日本东京市举行。来自16个国家和地区的755名代表参加了会议,共宣读论文175......
1 前言 Ge-APD及InGaAs/InGaAsP/InPSAGM-APD都可以用来探测1.1～1.6μm的红外光。在长波长光纤通信系统中,需要波长为1.3～1.55μm的......
随着社会的进步和科学技术的发展,人们对信息服务的需求越来越大,社会的运作和发展对信息的依赖性越来越强。智能光网络(ASON)、光......
本文利用动态掩膜湿法腐蚀技术，首次研究了 HCl/HF/CrO3 溶液对与 InP 衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yPy (y=0, 0.2, 0.4, 0.6)材料的......
半导体激光器是一种电致发光器件，自60年代被发明以来，得到了迅猛的发展。随着其新结构与新材料出现以及其器件功能的不断扩展，它在越......
近年来,半导体激光器——无论是红外光还是可见光半导体激光器都取得了一些最新进展。本文就半导体激光器在单模工作、大功率输出......
最近十年里,半导体激光器光源在光纤通信的迅速发展中已扮演了主要的角色.几乎无限的单模光纤带宽为应用这种系统技术来建立宽带网......
<正> 作为光通信和光信息处理的光源——半导体激光器实现室温连续工作已经整整十年了。十年来,国外半导体激光器的研制工作一直开......
