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我们提出了一个用于模拟SIMOX注入分布的经验公式,用此公式对某些氧注入分布进行了模拟,其结果与有关理论计算及实验值相比符合较好.我们的经验公式既有一定精度又形式简单,非常适合于作为VLSI全工艺模拟器中的一部份.
注入氧形成的SOI结构中氧分布的模拟
【摘 要】
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我们提出了一个用于模拟SIMOX注入分布的经验公式,用此公式对某些氧注入分布进行了模拟,其结果与有关理论计算及实验值相比符合较好.我们的经验公式既有一定精度又形式简单,
【机 构】
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复旦大学微电子学研究所,复旦大学微电子学研究所上海,上海,上海
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1989年7期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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