【摘 要】
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采用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,简称CVD)不仅可以制备金属粉未,也可以制备氧化物、碳化物、氮化物等化合物粉体材料.该法是以挥发性的金属卤化物、氢化物或
【机 构】
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中南大学冶金科学与工程学院,长沙,410083
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采用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,简称CVD)不仅可以制备金属粉未,也可以制备氧化物、碳化物、氮化物等化合物粉体材料.该法是以挥发性的金属卤化物、氢化物或有机金属化合物等物质的蒸气为原料,通过化学气相反应合成所需粉末,因其制备的粉末纯度高,比表而积大,结晶度高,粒径分御均匀、可控,在粉体材料制备方面的应用日趋广泛.该文主要介绍CVD技术制粉的形成机理和研究进程.CVD法制粉主要包括化学反应、晶核形成、粒子生长以及粒子凝并与聚结4个步骤.按照加热方式不同,CVD技术分为电阻CVD、等离子CVD、激光CVD和火焰CVD等,用这4种技术制备超细粉末各有其优缺点,选择合适的气源,开发更为安全、环保的生产工艺,以及加强尾气处理是使CVD法制备超细粉体材料付诸于工业应用的重要保证.
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