论文部分内容阅读
以高技术电子材料-铁电单晶体为研究对象,在对铁电体中电畸内的细观力学耦合场分析的基础上,采用Mori-Tanaka方法以自洽的方式导出了材料构元的Helmholtz自由能及Gibbs自由能函数的解析表达式。并分析在广义应力空间和广义应变空间中,按Hill-Rice内变量本构理论框架,导出了铁电体畸变屈服面方程,增量型本构关系及内变量的演化方程。文末给出了对BaTiO3单晶材料力电行为的一维数值模拟