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最近的研究证明了三倍阶段的接触线在表面的接触角度磁滞现象上有批评效果。在这研究，有不同区域部分的各种各样的表面结构的有图案的表面被电子在硅晶片上蚀刻准备。进展角度，后退的角度和这些表面的磁滞现象角度被测量。当时，我们的试验性的结果显示出那微观结构和接触线的几何学在进展角度上有次要的效果，他们在后退的角度上并且这样有重要效果磁滞现象角度。我们证明了微观结构和接触线的效果能被一个量的参数描述称为三倍阶段的线比率。理论预言在对我们的试验性的结果的好同意。