硅中E_c-O.18 eV铜能级的单轴应力深能级瞬态谱研究

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首次用单轴应力下的深能级瞬态谱法研究了N型直拉硅中与铜有关的主要深能级E_c-0.18eV.由实验结果推断,这个能级对应于硅中两个不同的铜中心,其深能级的激活能十分接近,单轴应力使偶然简并解除从而将它们分开. For the first time, the major deep level E_c-0.18eV related to copper in N-type Czochralski silicon has been investigated by deep level transient spectroscopy under uniaxial stress. From the experimental results it is concluded that this level corresponds to two different Copper center, the deep level of activation can be very close, uniaxial stress so that the occasional degeneracy to release them.
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