【摘 要】
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为研究飞灰中未燃尽碳对(HgS)n及(HgO)n(n=1 ～4)的吸附机理,构建了三碳环石墨烯结构作为未燃尽碳分子表面模型,应用密度泛函理论在B3 LYP/6-31G(d)水平上进行结构优化,在PWPB9
【机 构】
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华北电力大学 能源动力与机械工程学院,河北保定,071003
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为研究飞灰中未燃尽碳对(HgS)n及(HgO)n(n=1 ～4)的吸附机理,构建了三碳环石墨烯结构作为未燃尽碳分子表面模型,应用密度泛函理论在B3 LYP/6-31G(d)水平上进行结构优化,在PWPB95/def2-Tzvp水平上计算了体系的单点能.研究表明:HgS及HgO团簇在未燃尽碳表面的吸附形式为化学吸附,吸附能为-646.546～-105.116 kJ/mol;HgS及HgO团簇以解离和非解离形式吸附于未燃尽碳表面,更倾向于稳定的解离吸附;相同情况下HgO团簇的吸附稳定性高于HgS团簇;团簇数量的增加对吸附能几乎无影响,当吸附位点增多时,吸附能绝对值显著增加,吸附稳定性提高.
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