悬浮引线式无管壳晶体管

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【摘要】

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据报导,日本电信电话公司武藏野电气通信研究所最近研制出一种无管壳悬浮引线式晶体管(LiftedLeadTransistor)。此种晶体管的结构如下:首先,将厚度约为50微米的晶体管芯片的

【作者】

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何丁

【出处】

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半导体情报

【发表日期】

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1976年1期

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据报导,日本电信电话公司武藏野电气通信研究所最近研制出一种无管壳悬浮引线式晶体管(LiftedLeadTransistor)。此种晶体管的结构如下:首先,将厚度约为50微米的晶体管芯片的两个侧面,上表面的一部分及整个下表面电镀上厚度约为30微米的金层,在两个镀了金的侧面引出集电极引线,这两根引线即可以支承片子又可以作为热导通路。接着,在与集电极引线垂直的方向上引出发射极和基

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