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研究了利用低温等温凝固技术实现Cu-Sn键合在MEMS圆片级封装中的应用。基于Cu-Sn二元平衡相图,对键合层结构进行了设计,同时设计了用于测试的键合图形,并对设计的键合结构进行了流片实验。通过对圆片制作及键合等工艺的一系列优化,在250℃的低温条件下生成了熔点为415℃的金属间化合物,获得了良好的键合层。得到的键合样品剪切力强度值达到了GJB548B-2005标准的要求。研究表明,Cu-Sn等温凝固键合技术具有实际应用的潜力。