【摘 要】
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本文介绍一种以双栅场效应管的S参数和动态阻抗为依据,来设计双栅砷化镓场效应管可变增益放大器的方法。用这种方法,采用国产的CX52、CX54型双栅砷化镓场效应管,设计并研制出
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本文介绍一种以双栅场效应管的S参数和动态阻抗为依据,来设计双栅砷化镓场效应管可变增益放大器的方法。用这种方法,采用国产的CX52、CX54型双栅砷化镓场效应管,设计并研制出6 GHz二级可变增益放大器。其增益为18dB;可控增益为48dB(控制范围从+18dB～-30dR);在250MHz带宽内,增益波动±0.5dB;1分贝压缩点的输出功率为+4dBm。
This article presents a method to design a dual-gate GaAs FET variable gain amplifier based on the S-parameters and dynamic impedances of a dual-gate FET. In this way, using domestic CX52, CX54 double-gate gallium arsenide FET, designed and developed a 6 GHz two-stage variable gain amplifier. The gain is 18dB; the controllable gain is 48dB (control range from + 18dB ~ -30dR); within 250MHz bandwidth, the gain fluctuation is ± 0.5dB; the output power of 1dB compression point is + 4dBm.
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