【摘 要】
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采用磁控溅射技术在P型Si（100）基片上制备了掺杂Co的Ni-Mn-Ga薄膜,对制得的薄膜进行不同温度的热处理,并分析研究各种薄膜的表面形貌以及磁性能的异同。研究发现：在不同的退火温
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采用磁控溅射技术在P型Si（100）基片上制备了掺杂Co的Ni-Mn-Ga薄膜,对制得的薄膜进行不同温度的热处理,并分析研究各种薄膜的表面形貌以及磁性能的异同。研究发现：在不同的退火温度下,Ni-Mn-Ga-Co薄膜表面颗粒的生长都比较均匀;薄膜在1 073 K退火1 h的情况下,磁性能最强,随着退火温度的变高或变低,磁性能都有所减弱;当退火温度为1 073 K时,居里温度最高,为350 K。
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