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本研究以硅片为衬底，热蒸发一氧化硅粉末在较低温度下合成了大量直径均匀的非晶SiO2纳米线。这些纳米线直径分布在15nm～40nm之间，长度几十微米。选区电子衍射（SAED）、能谱（EDS）、电子能量损失谱（EELS）分析结果表明这些纳米线为非晶SiO2纳米线。光致发光（PL）谱测试结果显示纳米线在波长550nm处存在一个较强的PL峰。本文进一步指出了蒸发源SiO粉末的颗粒度和蒸发温度对纳米线生长有强烈的影响。