PECVD技术淀积硅pn结太阳电池的双层抗反射膜

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等离子增强化学汽相淀积(PECVD)技术,已被广泛地应用于大规模集成电路的制作工艺中.等离子反应的最主要优点是其反应温度可远低于热反应和LPCVD反应发生的温度下进行.这一特点对于集成电路芯片的全钝化,浅结器件的制作,以及多层布线间的隔离提供了方便.用PECVD技术生长的氮化硅 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) has been widely used in the manufacturing process of large scale integrated circuits.The main advantage of plasma reaction is that its reaction temperature can be much lower than that of thermal reaction and LPCVD reaction . This feature for the integrated circuit chip full passivation, the production of shallow junction devices, as well as the isolation between the multi-layer wiring provides a convenient. PECVD growth of silicon nitride
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