【摘 要】
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研制了总栅宽为400μm,输出功率高达200mW的毫米波单片GaAs功率FET放大器。这些放大器是用亚半微米栅FET制造的,采用了MBE生长的具有n~+接触层的外延材料。在FET设计中还采用
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研制了总栅宽为400μm,输出功率高达200mW的毫米波单片GaAs功率FET放大器。这些放大器是用亚半微米栅FET制造的,采用了MBE生长的具有n~+接触层的外延材料。在FET设计中还采用了一种具有接地孔的源覆盖结构。在29GHz,34GHz,41GHz下得到的功率密度分别为0.75W/mm、0.5W/mm和0.45W/mm。
A millimeter-wave monolithic GaAs power FET amplifier with a total gate width of 400μm and an output power of up to 200mW has been developed. These amplifiers are fabricated with sub-half-micron gate FETs using MBE grown epitaxial materials with n ~ + contact layers. A source-covering structure with ground holes is also used in the FET design. The power densities obtained at 29 GHz, 34 GHz and 41 GHz were 0.75 W / mm, 0.5 W / mm and 0.45 W / mm, respectively.
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