1.1~1.6μm光通信系统用的p-i-nFET混合光接收器

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最近美国邮电研究中心报导了具有高达1.6μm 波长响应的低电容的汽相外延 InGaAs/InP p-i-n 光电二极管和 p-i-n FET 混合光接收器的制备。以前该研究中心报导过波长1.3μm 的 InGaAs/InPp-i-n 光电二极管和 GaAsMESFET前置放大器混合集成的光接收器,其典型的接收灵敏度在140和 280Mbit/sec 下达到-44和-40dBm,误码率为10~(-9)。 Recently, the National Post and Telecommunication Research Center reported the preparation of low capacitance vapor-phase epitaxial InGaAs / InP p-i-n photodiodes and p-i-n FET hybrid optical receivers with wavelength responses up to 1.6 μm. Previously, the research center reported a mixed optical receiver with a 1.3μm wavelength InGaAs / InPp-in photodiode and a GaAsMESFET preamplifier. The typical receiver sensitivity reached -44 and -40dBm at 140 and 280Mbit / sec. The error code Rate of 10 ~ (-9).
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