【摘 要】
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东芝于201 3年3月19日宣布,将从2013年3月底开始在该公司的姬路半导体工厂量产SiC功率半导体产品。最初量产的是SiC肖特基势垒二极管TRS12E65C。新产品可用于服务器电源、光
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东芝于201 3年3月19日宣布,将从2013年3月底开始在该公司的姬路半导体工厂量产SiC功率半导体产品。最初量产的是SiC肖特基势垒二极管TRS12E65C。新产品可用于服务器电源、光伏发电用功率调节器等用途,与以往的Si二极管相比,在电源用途可将元件损失降低50%以上(与该公司产品的比较)。新
Toshiba announced on March 19, 2013 that SiC power semiconductor products will be mass-produced at the company’s Himeji Semiconductor plant from the end of March 2013. The initial mass production was the SiC Schottky barrier diode TRS12E65C. The new products can be used in server power supplies, power regulators for PV power generation and other applications, reducing component losses by more than 50% (compared with the company’s products) for power applications compared to conventional Si diodes. new
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