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TrenchDMOS<sup>TM</sup> TrenchDMOS<sup>TM</sup>场效应晶体管（MOSFET）是美国研诺逻辑科技有限公司（AATI）发明的专利技术（图1）,采用0.35μm的DRAM高技术和深亚微米晶片工艺生产的MOSFET。AATI在2000年3月创造了
高密度TrenchDMOS<sup>TM</sup>功率MOSFET
【摘 要】
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TrenchDMOS<sup>TM</sup> TrenchDMOS<sup>TM</sup>场效应晶体管（MOSFET）是美国研诺逻辑科技有限公司（AATI）发明的专利技术（图1）,采用0.35μm的DRAM高技术和深亚微米晶片工艺生产的
【机 构】
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美国研诺逻辑科技有限公司中国区FAE经理
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2002年11期
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