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提出采用离子注入方法提高主掩膜光刻胶的耐干法腐蚀和腐蚀窗口硅的腐蚀速率，实现了在比较简陋的干法腐蚀设备上采用反应离子腐蚀模式进行深/浅硅槽工艺。
一种新的深硅槽工艺技术
【摘 要】
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提出采用离子注入方法提高主掩膜光刻胶的耐干法腐蚀和腐蚀窗口硅的腐蚀速率，实现了在比较简陋的干法腐蚀设备上采用反应离子腐蚀模式进行深/浅硅槽工艺。
【机 构】
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信息产业部无锡微电子科研中心
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2001年3期
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