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本文报导了用分子束外延方法生长的掺ＴｅＧａＳｂ／ＡｌＳｂ超晶格的温度变化光致发光谱，对于阱宽为９０Ａ超晶格样品，根据发光强度与激发功率的关系得出，低温下的复合以辐射复合为主，线型分析显示存在很强的激子－声子耦合，本文还探讨了发光淬灭机制。
掺TeGaSb／AlSb超晶格的温度变化光致发光谱
【摘 要】
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本文报导了用分子束外延方法生长的掺ＴｅＧａＳｂ／ＡｌＳｂ超晶格的温度变化光致发光谱，对于阱宽为９０Ａ超晶格样品，根据发光强度与激发功率的关系得出，低温下的复合以辐射复合为主，线型分析显示存在很强的
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,复旦大学电子工程系,中国科学院上海技术物理所红外物理国家重点实验室
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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1997年2期
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